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Infinix Hot 9 vs Samsung Galaxy A12

Hot 9が優れている点(2)とGalaxy A12が勝る点(5)。全スペックを並べて比較。

Infinix Hot 9
Infinix · 2020Hot 9
4.4スコア
優位点2≈ ¥14,500
スコアが高い
vs
Samsung Galaxy A12
Samsung · 2020Galaxy A12
4.4スコア
優位点5≈ ¥13,000
3.7ディスプレイ2.6
3.4カメラ5.3
3.9機能4.3
サイズ

サイズ比較

Hot 9Galaxy A12
76.8 × 165.48.875.8 × 1648.9
Hot 9Galaxy A12差
高さ165.4 mm164 mm+1.4 mm
幅76.8 mm75.8 mm+1 mm
厚さ8.8 mm8.9 mm−0.1 mm
重量185 g205 g−20 g

公式寸法から同じ縮尺で描いています(正面・側面)。

Hot 9がGalaxy A12より優れている点

  1. 重量185 g vs 205 g+11%
  2. Wi-Fi規格Wi-Fi 5 vs Wi-Fi 4+25%

Galaxy A12がHot 9より優れている点

  1. メインカメラ13 MP vs 48 MP3.7×
  2. RAM4 GB vs 6 GB+50%
  3. NFCなし · Hot 9: あり
  4. CPUクロック1.8 GHz vs 2.35 GHz+31%
  5. 超広角カメラなし · Hot 9: あり
スペック

スペック比較表

Infinix Hot 9Infinix Hot 9≈ ¥14,5004.4
Samsung Galaxy A12Samsung Galaxy A12≈ ¥13,0004.4
デザイン
重量185 g205 g
厚さ8.8 mm8.9 mm
高さ165.4 mm164 mm
幅76.8 mm75.8 mm
フレーム樹脂樹脂
背面樹脂樹脂
カラーMidnight Black、Quetzal Cyan、Violet、Ocean WaveBlack、White、Blue、Red
ディスプレイ
画面サイズ6.6インチ6.5インチ
パネルIPS LCDPLS LCD
有機ELパネルなしなし
解像度(横)720 px720 px
解像度(縦)1,600 px1,600 px
画素密度266 ppi270 ppi
リフレッシュレート60 Hz60 Hz
ピーク輝度—450 nit
実測輝度—472 nit
画面占有率82.8%82.1%
性能
SoCMediatek MT6762D Helio A25Mediatek MT6765 Helio P35
SoCメーカーMediaTekMediaTek
製造プロセス12 nm12 nm
CPUコア数88
CPUクロック1.8 GHz2.35 GHz
GPUPowerVR GE8320PowerVR GE8320
AnTuTuスコア—107,189
Geekbench 6(マルチコア)—1,034
メモリ
RAM4 GB6 GB
ストレージ(最大)128 GB128 GB
ストレージ(最小)32 GB32 GB
ストレージ規格eMMC 5.1eMMC 5.1
メモリーカードスロットありあり
カメラ
メインカメラ13 MP48 MP
メインカメラの絞り—f/2
メインセンサーサイズ1/3.1"1/2"
背面カメラ数22
光学式手ブレ補正なしなし
超広角カメラなしあり
望遠カメラなしなし
最大動画解像度1080p1080p
インカメラ8 MP8 MP
インカメラ4K動画なしなし
バッテリー
バッテリー容量5,000 mAh5,000 mAh
バッテリー種類—Li-Po
有線充電—15 W
30分の充電量—20%
ワイヤレス充電—なし
通信
5G—なし
eSIMなしなし
デュアルSIMありあり
Wi-Fi規格Wi-Fi 5Wi-Fi 4
Bluetooth55
NFCなしあり
USBmicroUSB 2.0USB Type-C 2.0
USBバージョン—2
衛星測位—GLONASS、GALILEO、BDS
機能
ステレオスピーカーなしなし
3.5 mmイヤホンジャックありあり
スピーカー音量—-30.4 LUFS
指紋認証背面側面
センサーFingerprint (rear-mounted)、accelerometer、gyro、proximity、compassFingerprint (side-mounted)、accelerometer
SAR値(頭部)—0.67 W/kg
ソフトウェア
発売時OSAndroid 10Android 10
プラットフォームAndroidAndroid
UIXOS 6.0One UI 4.1
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